当今社会已经进入了电子信息时代，微处理芯片的发明改变了世界，微电子、信息技术的水平已经被视为一个国家现代化水平高低的重要标志。硅经过提纯加工成单晶硅片，就是生产集成电路芯片的片基。亲水性和疏水性是硅片的重要物理性质，对硅片的后期加工起着重要的作用。当硅片本身的亲疏水性无法达到加工制造的要求时，就要对硅片进行亲疏水处理，河北疏水处理，使其满足加工制造的要求。
超疏水表面材料具有防水、防污、可减少流体的粘滞等优良特性，疏水处理玻璃，是目前功能材料研究的热点之一一。超疏水性物质，具有极难被水沾湿的表面，常见疏水处理，其水在其表面的接触角超过150°，滑动角小于20°。超疏水表面一般可以通过两类技术路线来制备:--类是在低表面能的疏水材料表面上构建微米纳米级粗糙结构;另外一类是用低表面能物质在微米-纳米级粗糙结构上进行修饰处理。从制备方法来说，主要有蒸汽诱导相分离法、模板印刷法、电纺法、溶胶-凝胶法、模板挤压法、激光和等离子体刻蚀法、拉伸法、腐蚀法以及其他方法。
亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响
采用亲疏水两种不同的处理方法，在氮气保护、600℃热处理1h条件下，成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合，两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发，研究了两种处理方法对于界面透光性的影响，对键合样品进行了可见光透射谱测试，实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率，并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试，实验结果与透射谱测试结果一致.
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